SK Hynix kündigt die weltweit ersten 1-anm-8,5-Gbit/s-LPDDR5x-Speicher an
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Die Effizienz wird um 25 % verbessert
SK Hynix, in einer Pressemitteilung HKMG gab bekannt, dass es LPDDR5x entwickelt hat, den weltweit ersten tragbaren DRAM mit dem (High-K Metal Gate)-Prozess. In der gemachten Aussage hat der neue Speicher einen höheren Stromverbrauch im Vergleich zur Vorgängergeneration. 25 Prozent effizienter es wird berichtet. Andererseits werden diese Speicher von JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) bestimmt. 1,01 V bis 1,12 VEs hat die höchste Energieeffizienz im LPDDR5x-Zweig, da es im Ultra-Low-Voltage-Bereich dazwischen arbeitet
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Außerdem ist der aktuelle LPDDR5X besser als die vorherige Generation. 33 Prozentder höhere 8,5 Gbit/s Er hat ein Arbeitsgesicht. Aus diesem Grund sind diese Speicher nicht nur für tragbare Geräte, sondern auch für die Automobilbranche von hohem Wert. Es ist in der Mitte, das von SK Hynix 1 nmauf der Grundlage des Produktionsprozesses, den er nennt vierte Generation 10nm bekannt als Prozesstechnik. Darüber hinaus hat Samsung LPDDR5x-Assays mit Geschwindigkeiten von 8,5 Gbit/s eingeführt. Im Gegensatz zu Samsung hat SK Hynix einen eigenen Speicher HKMGZiel ist es, die Transistoreffizienz durch Integration von Technologie zu erhöhen.