Im Vergleich zum vorherigen Ertragsknappheit, laut einem neuen Bericht, erste Generation Samsung 3nm Die Effizienz des Produktionsprozesses hat ein nahezu perfektes Niveau erreicht. Außerdem ein Samsung-Manager, zweite GenerationEr erklärte, dass sich auch die 3-nm-Chip-Technologie entwickelt.Samsung: Wir sind fast großartig
Frühere Berichte haben Samsung große Sorgen bereitet, da berichtet wurde, dass die Effizienzrate von TSMC 80 Prozent erreichte, Samsung jedoch im 3-nm-Prozess bei 20 Prozent feststeckte. Aber jetzt wurde die 3-nm-GAA-Technologie von Samsung stark verbessert und jetzt “ beinahe perfekt„So soll es sein.
3-nm-Technologie von Samsung
Vor TSMC hat Samsung vor etwa sechs Monaten mit der 3-nm-Produktion begonnen, GAA‘ Die Produktionseffizienz sank aufgrund der Einführung von erheblich Das Unternehmen musste mit IBM, Silicon Frontline Technology und anderen Unternehmen zusammenarbeiten, um seine 3-nm-Effizienz zu steigern. Samsung, FinFET(anstatt Fin Field-Effect Transistor) zu GAAFET (Gate-all-Around Field-Effect Transistor) gab als Grund für das Bestehen an, dass die FinFET-Technologie an ihre Grenzen gestoßen sei. Im Vergleich zu FinFET bietet GAAFET Vorteile wie kleinere Stellfläche, höhere Geschwindigkeit, weniger Leckstrom und niedrigere Spannung.Zusammen mit diesen, Samsung 3 nm GAAvs. 5-nm-Prozess Energiean Effizienz 45 Prozentund Leistungauf der Seite 2 ProzentEs verspricht 3 Erhöhungen. Zweite Generation 3nmLaut Samsung EnergieVerbrauch entzweirunterkommen Leistungwenn 30 Prozentnimmt zu.
Laut der TrendForce-Analyse belegt TSMC mit einem Anteil von 53,4 % den ersten Platz im globalen Casting-Markt, während Samsung nur einen Marktanteil von 16,4 % hat. Auf der anderen Seite hatte TSMC die Preise für 3-nm-Platten deutlich erhöht. Wenn Samsung die Chips der nächsten Generation von Qualcomm und MediaTek produzieren will, muss es mit TSMC die Effizienzlücke schließen.
