Samsung teilt neue V-NAND- und GDDR7-Pläne: Smileys werden verdoppelt
V-NAND- und GDDR7-Speicher der neuen Generation sind auf dem Weg
Samsung gab auf der Veranstaltung erstmals ein Statement im Bereich DRAM ab und kündigte an, dass die Produktion der fünften Generation der 10-nm-Klasse (1b-Technik) bis 2023 beginnen wird. Darüber hinaus ist das Unternehmen seinen Konkurrenten in den derzeit verwendeten Nodes der 14-nm-Klasse voraus, indem es neue Muster, Materialien und architektonische Designs verwendet, darunter High-K-Gates. Sondierungsforschung in der Sub-10-nm-DRAM-Produktion auch weiterhin‘erklärt.
Wenn es um NAND geht, arbeitet Samsung weiterhin an V-NAND der 9. und 10. Generation. Heute hat das Unternehmen mit der Auslieferung von 176-Layer-V-NAND der siebten Generation begonnen. V-NAND-Chips der 8. Generation mit 230 Schichten bis Ende des Jahres plant, es auf den Markt zu bringen. Darüber hinaus soll der Tech-Riese bis 2030 noch wertvollere Zuwächse erzielen. Erreichen eines 1.000-Layer-V-NAND-Designswarten.
In der Fortsetzung der Veranstaltung treibt Samsung die Grafikkarten der Zukunft an GDDR7 auch erwähnte Technologie. Der neue Standard wird eine Steigerung von bis zu 36 Gbit/s im Vergleich zu den derzeit verwendeten 18 Gbit/s GDDR6-Speicher bieten. So lassen sich mit einem 384-Bit-Datenbus ca. 1.728 TB/sec Bandbreite auf der Grafikkarte erzielen.