Samsung bereitet die Produktion von hochleistungsfähigem V-NAND-Speicher der nächsten Generation mit 236 Schichten vor

SamsungVersprechen höhere Leistung und mehr Kapazität für Solid-State-Speichergeräte V-NAND der 8. Generation Es bereitet sich darauf vor, mit der Massenproduktion von Erinnerungen zu beginnen. Samsung war 2013 dank seines 24-Layer-V-NAND-Speichers seinen Konkurrenten weit voraus, wurde aber von seinen Konkurrenten eingeholt, da es schwierig wird, mehr Schichten zu erstellen.

Während des Jahres Mikronund SK Hynix gaben bekannt, dass sie ihre eigene NAND-Technologie entwickelt haben. von Mikron 232 SchichtenLösung von Sk Hynix 238 SchichtenTLC antwortete mit NAND-Speichern. SamsungAndererseits kam die Antwort nicht zu spät: die Firma 3D V-NAND der 8. Generation mit 236 Schichtenist am Ende des Weges der Massenproduktion von Erinnerungen angelangt.

Es wird eine höhere Geschwindigkeit und Speicher bieten

Die nächste Generation für Desktops und Laptops PCIe-Gen 5Auf der mobilen Seite ist auch Samsung, das mit seiner Schnittstelle konkurrenzfähige Speicherlösungen anbieten will. UFS 4.0und UFS 3.1 möchte für seine Technologien Speicher der neuen Generation produzieren. Derzeit können V-NAND-Speicher der 7. Generation Geschwindigkeiten von bis zu 2/GT/s bieten, aber im Moment haben wir keine Informationen über die Geschwindigkeiten von V-NAND-Speichern der 8. Generation. Insgesamt will Samsung aber mehr Geschwindigkeit, mehr Speicherplatz und mehr Energieeffizienz bieten.

Laut Statista wird der koreanische Tech-Riese im ersten Quartal 2022 in den NAND-Flash-Markt einsteigen. 35,3 % eigenen Anteil. Samsung hat einen deutlichen Vorsprung vor Kioxia, dem zweitplatzierten Hersteller von NAND-Speichern, der ihm mit einem Marktanteil von 18,9 % folgt.